Компания Samsung сообщила о создании первой в мире микросхемы динамической памяти по 40-нанометровой технологии с произвольным доступом (DRAM).
Были продемонстрированы микросхемы DDR2 емкостью 1 Гб и DDR2-800 SODIMM объемом 1 Гб. Эти микросхемы уже сертифицированы для совместной работы с набором системной логики Intel GM45 Express для использования в ноутбуках. На данном этапе именно для ноутбуков эта память будет востребована более всего по причине низкого энергопотребления чипов. В целом, производитель обещает до 30% меньшее энергопотребление новых модулей памяти в сравнении с предшественником – микросхемами по 50-нанометровому техпроцессу. Это позволит увеличить время автономной работы ноутбуков.
Массовое производство новых модулей памяти по 40-нанометровой технологии Samsung планирует начать уже в конце текущего года. На начальном этапе в серию будут запущены модули DDR3 емкостью 2 Гигабайт , а выпуск микросхем DDR2 Samsung планирует начать уже в 2010 году.
Как распечатать <Память от Samsung становится 40-нанометровой>?
В самом верху страницы есть ссылка "Версия для печати", перейдя по которой вы получите страниwe бел лишней информации, специально подготовленную для печати.
Есть мнение о статье <Память от Samsung становится 40-нанометровой>?
